一、激光诱导化学气相沉积制膜技术(论文文献综述)
虞樱红[1](2020)在《多铁氟化物的磁性、铁电性研究》文中研究说明随着人们对器件小型化的要求越来越高,同时具有两种及以上功能的新型材料急需发展。在产业化应用领域和实验室科研领域,铁电材料和磁性材料都被广泛且深入的研究。如果一种材料中同时存在铁电性和铁磁性,二者之间可以互相调控,那么这种材料在信息存储领域具有很高的应用价值。目前,科研领域已经有大量工作报道了多铁材料的磁电耦合效应。然而到目前为止所发现的单相多铁材料还比较稀少。在氟化物领域存在许多磁性铁电体,对这些材料展开深入研究将有可能实现满足实际应用需求的单相多铁材料。氟化物中氟的电负性高,与过渡金属离子形成离子键,存在很强的库伦相互作用,这些条件可能会打破氧化物钙钛矿中铁电性和铁磁性对于过渡金属外层电子要求的矛盾。然而,目前所研究的多铁氟化物的磁有序温度大多远低于室温,严重限制了其实际应用,研究具有室温铁磁性及磁电耦合效应的多铁氟化物极具意义。文主主要围绕BaMF4(M为Mn、Co、Ni等铁磁金属元素)系列,制备了BaMnF4薄膜和BaCoF4薄膜,主要内容及结果如下:1.利用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的Al2O3衬底上制备了纯相的BaMnF4薄膜。X射线衍射表明薄膜为(010)取向。利用压电力显微镜观察到清晰的振幅和相位回线,证实了室温下的铁电性。磁性测量结果观察到明显的磁滞回线,磁矩-温度曲线在300 K以下明显分开表明居里温度高于室温。由于磁电耦合效应导致的自发极化钉扎磁矩,在200K以下观察到明显的交换偏置效应。BaMnF4薄膜增强的室温铁磁性归因于薄膜与衬底晶格失配导致的外延应变。2.通过脉冲激光沉积技术在(0001)取向的Al2O3衬底上成功制备了(010)取向的BaCoF4薄膜。通过压电力显微镜观察到清晰的振幅和相位回线,证实其存在室温下的铁电性。块材BaCoF4是反铁磁性的,奈尔温度为69.6 K,而在BaCoF4薄膜中在室温下能观察到清晰的磁滞回线,表明存在室温弱铁磁性。并且可以看到在5 K和300 K时,饱和磁化强度几乎不变,均约为30 emu/cm3,这也表明了BaCoF4薄膜的居里温度远高于室温。温度低于250 K时,清楚地观察到了交换偏置效应。在800 k Hz以下的频率范围内观察到负磁电容效应,证实了其具有室温下的磁电耦合。
张伟,陈小英,马永生,付婉霞,王磊,周贺,徐智俊,王博,阮毅松[2](2019)在《激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用》文中指出为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响,再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明,激光功率或激光束光斑尺寸越大,薄膜基底损伤越大,但电阻率越小,且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤;激光辐射速度越大,基底损伤越小,但电阻率越大。通过平衡工艺参数,得到了电阻率为0.96Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜,成分分析表明此时W(CO)6已经完全裂解。
周素素[3](2019)在《激光碳等离子体特性及其制备石墨烯研究》文中研究表明近年来,碳纳米材料由于其独特的物理化学性质引起了科学家们的广泛关注,其在新能源、信息、生物医学等方面有着重要应用。激光诱导碳等离子体也因其在碳纳米材料制备的应用而在过去几年受到高度重视,其等离子体特性与激光能量、环境气体压力、材料性质等息息相关。为了更好的优化其制备碳纳米材料的实验参数,我们需要进一步对激光诱导碳等离子体的特性进行实验研究。本论文首先对等离子体粒子内部特性进行了研究,然后研究了不同条件对脉冲激光诱导沉积石墨烯的影响,最后对激光诱导石墨烯(LIG)的实验参数进行了研究,主要内容如下:(1)通过直接成像法研究了脉冲激光诱导碳等离子体羽辉和微粒(C2、C+)在不同空气压力条件下的膨胀特性,使用极坐标图描述了不同空气气压下羽辉膨胀的角向分布规律。因为C2在碳纳米粒子形成过程中有着重要作用,所以接着研究了不同空气气压条件下对C2形成的影响。通过窄带通滤波片分辨出C2和C+的发射位置,分析不同空气气压条件下C2的形成过程,通过观测C2和C+发射峰值的位置,探究了C+在C2形成过程中的作用。(2)通过发射光谱法对脉冲激光诱导碳等离子体进行了诊断,早期发射光谱为连续谱,使用黑体辐射公式拟合推算碳等离子体的电子温度,当线状谱出现时,采用玻尔兹曼作图法计算电子温度,研究了电子温度和电子密度随时间的演化趋势及不同空气气压对其演化的影响。(3)根据前文等离子体特性的研究,采用脉冲激光诱导沉积在Ge基底上沉积石墨烯薄膜,研究了工艺参数的影响。发现只有当沉积温度为500℃以上时才能得到石墨烯薄膜,但是由于实验设备的限制,无法进一步升高温度,所以得到的石墨烯薄膜均匀性较差、尺寸太小。(4)对激光诱导石墨烯(LIG)的进行了研究,探究了不同激光功率和PI材料对LIG形成的影响。
刘蕊[4](2019)在《二氧化钒纳米粉体制备及相变特性调控研究》文中研究说明二氧化钒作为一种典型的热致相变氧化物,在68℃时发生由低温绝缘体向高温金属态的可逆相变,该相变特性使其在红外波段具有优异的热致变色特性。因此,通过调控VO2的相变特性以裁剪其热致变色性能已经成为该领域研究的热点。但是,VO2相变温度较高及薄膜材料难以大规模制备等问题成了限制VO2广泛应用的重要因素。本文围绕VO2(M)粉体的制备及相变特性的调控,借助DSC、XRD、XPS、SEM等分析表征技术,探索一种新的纯M相VO2粉体的制备方法,并研究Nb元素的掺杂对VO2(M)粉体相变特性的调控作用与机理。论文主要结果如下:(1)复合退火工艺对VO2纳米粉体的可控制备:在真空退火工艺的基础上,本文提出一种新的纯M相VO2粉体制备方法,即采用复合退火工艺,通过优化退火过程中氧气的通入条件,制备出纯的M相VO2粉体,该粉体的相变温度是66.06℃,微观结构呈现纳米棒状与不规则晶体,棒状结构为VO2(M),不规则结构是VO2(M)晶体,这两种结构均属于M相VO2,都具备典型的相变特性。由于颗粒特征尺度的差异,因此相变过程中出现双放热峰,高温下的相变放热峰是由尺寸相对较大的VO2(M)纳米棒引起的,而低温下的相变放热峰则是由VO2(M)小晶体造成。(2)研究了Nb元素的掺杂对VO2粉体相变特性的调控。结果表明:低浓度Nb元素的掺杂会使VO2(M)的长纳米棒断裂融合,形成粗短棒状结构,其相变温度也会逐渐降低,当Nb的掺杂原子百分比为1.5%时,VO2(M)的相变温度最低为47.53℃。继续增加掺杂浓度,VO2的相变温度则相对于掺杂浓度为1.5%时开始增加,同时粉体中再次出现棒状结构,与未掺杂VO2粉体相比,该棒状结构则短很多。同时发现,低浓度Nb元素的掺杂可以促进退火过程中VO2(B)转变为单斜相VO2,高浓度Nb元素的掺杂会导致单斜相VO2向四方相VO2的转变。
张生孔[5](2017)在《飞秒激光等离子体光谱及沉积技术研究》文中进行了进一步梳理飞秒激光轰击靶材表面可以形成高温等离子,等离子体由原子、离子和自由电子等粒子构成,在它的生命周期中处于不稳定状态下的原子或离子会发生由高能态向低能态跃迁的现象,并且在它们进行跃迁的同时也会辐射出一定强度的等离子体光谱,该光谱不仅携带着大量的靶材元素成分及其含量的信息,而且与等离子体的形成、演化和膨胀等过程密切相关,这一光谱通常被称为激光诱导击穿光谱(Laser Induced Breakdown Spectroscopy,LIBS)。同时,瞬态产生的高温等离子向外膨胀形成羽辉,可以用于沉积与靶材同材质的薄膜或者纳米结构,这一技术通常被称为脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)。本论文基于这一思路,通过LIBS光谱研究等离子体的特性及其时空演化规律,并利用等离子体同质沉积的特点,在衬底上沉积薄膜和纳米结构。脉冲激光沉积技术作为功能强大的薄膜制备技术,在高温超导、半导体、类金刚石等多种功能薄膜和硬质陶瓷薄膜的制备上已得到充分的运用,并且在纳米材料制备上也有所进展。随着高峰值功率飞秒激光的出现,使得激光诱导击穿光谱技术和脉冲激光沉积技术步入飞秒时代。相比传统使用的纳米/皮秒激光,飞秒LIBS和飞秒PLD展现出了更加诱人的前景。本论文的研究目的是利用飞秒PLD技术制备TiO2纳米薄膜,为未来开展基于TiO2纳米结构的光催化研究奠定基础。其工作内容主要分为两个部分:第一部分是通过LIBS技术研究飞秒激光诱导钛等离子体光谱的时空演化规律,并确定等离子体温度的时间演化特性以及电子密度与激光能量的关系,掌握等离子的演化特性,对飞秒PLD实验的开展具有重要的借鉴意义;第二部分是搭建飞秒PLD系统,并利用该系统制备TiO2纳米薄膜材料,通过场发射扫描电镜和X射线光电子能谱仪分别对TiO2纳米薄膜材料的形貌和成分进行表征分析,并确定颗粒尺寸大小以及薄膜成分,接着研究薄膜的成膜过程并探索激光能量,基底温度等实验参数对薄膜的沉积速率以及质量的影响,确定最佳的实验条件,最后利用紫外-可见光谱仪探究其光学性能。通过上述实验研究,得到如下结论:(1)薄膜是由粒状TiO2颗粒组成的一种蓬松结构的材料,粒径基本上在1到100 nm范围;(2)通过探究不同沉积时间下的样品的SEM图像来分析TiO2薄膜的成膜过程,可以发现TiO2薄膜的生长模式为岛状生长;(3)样品的紫外-可见光吸收光谱显示吸收边其波长在400 nm左右,并通过禁带宽度计算可确定该样品禁带宽度在3.1 eV左右,说明该样品是金红石和锐钛矿的混合相。
王莹[6](2017)在《激光化学气相沉积法制备钇系高温超导薄膜及其缓冲层薄膜》文中研究表明第二代高温超导材料YBa2Cu3O7-δ(YBCO)由于具有高的不可逆场、临界温度(TC)及临界电流密度(JC),从而被广泛地应用于各个领域。目前制备YBCO高温超导薄膜的方法很多,例如金属有机溶剂法(MOD)、脉冲激光沉积法(PLD)、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)及激光化学气相沉积法(LCVD)等。其中LCVD由于激光光子能有效降低反应原子的反应活化能,促进化学反应,从而成为了制备高质量YBCO薄膜最具潜能的方法。本论文采用喷液雾化-多元共析激光化学气相沉积法(SAC-LCVD)在SrTiO3单晶基板上成功制备出高性能的YBCO高温超导薄膜。另外,本论文还采用固相源的激光化学气相沉积法在(100)取向的MgO单晶基板上制备了高质量的CeO2缓冲层薄膜,并研究了薄膜制备工艺参数对其YBCO高温超导薄膜及CeO2缓冲层薄膜的取向、显微结构及结晶质量等性能指标的影响。对于在(001)SrTi O3单晶基板上制备的YBCO薄膜来讲。当激光功率(PL)为167 W时,制备的YBCO薄膜具有c-轴取向,其沉积速率(Rdep)为14μm h-1,临界温度为91K,临界电流密度为2.8 MA cm-2,外延生长模式为YBCO[001]//SrTiO3[001](YBCO[100]//SrTiO3[100])。随着激光功率的降低,薄膜取向由c-轴转变为a-轴,因此薄膜的电学性能也随之下降。通过该步骤的研究,确定了YBCO薄膜具有最佳电学性能时的工艺参数。不同的领域对YBCO薄膜的取向需求不同,本论文为了进一步研究如何制备不同取向YBCO薄膜,分别在(001)、(110)和(111)取向的SrTiO3单晶基板上制备了a-轴、c-轴、(103)/(110)和(113)取向的YBCO薄膜。所制a-轴取向YBCO薄膜面内外延生长关系为YBCO[100]//SrTiO3[001](YBCO[001]//SrTi O3[100]),c-轴取向YBCO薄膜面内外延生长关系为YBCO[001]//SrTiO3[001](YBCO[100]//SrTi O3[100])。(103)/(110)取向和(113)取向的YBCO薄膜面内外延生长关系分别为YBCO[110]//SrTi O3[110](YBCO[010]//SrTi O3[010])及YBCO[100]//SrTiO3[100](YBCO[113]//SrTiO3[111])。在研究CeO2缓冲层薄膜时,选取了(100)MgO单晶作为基板。所制CeO2缓冲层薄膜的(200)面ω扫描与(220)面?扫描的半高宽(FWHM)分别为1.0°与2.1°。沉积的(100)取向CeO2薄膜外延生长模式为立方-立方外延生长。薄膜表面分布有矩形颗粒,横截面为柱形颗粒。沉积速率为16-24μm h-1。
张淼[7](2016)在《化学修饰石墨烯膜的制备与性能研究》文中进行了进一步梳理石墨烯作为一种单原子层的二维晶体,拥有大量优异的性能。纳米尺度的石墨烯构筑的多维宏观组装体拓展了其在现实生产生活中的应用范围。其中,石墨烯二维组装膜材料在其应用领域中占据着重要的位置。本论文以超强、超韧、高电导率、多功能的化学修饰石墨烯膜材料的制备为研究重点,旨在简化制备流程,增强化学修饰石墨烯膜材料的综合性能,阐释其增强、增韧的内在机制。我们设计并合成了一种高分子聚丙烯酸-聚(3-苯硼酸丙烯酰胺)(PAPB0.2),以其作为氧化石墨烯(GO)水凝胶的凝胶化因子。同时我们建立了一种凝胶浇铸技术来制备超强、超韧、高导电的还原氧化石墨烯(rGO)/PAPB0.2膜。该复合膜的断裂强度、断裂伸长率和断裂韧性分别高达382±12 MPa、4.31±0.08%、7.50±0.40 MJ m-3。更为重要的是,该方法制备的复合膜的电导率高达337±12 S cm-1,与本征的rGO膜相当(350±13 S cm-1)。这种简单的凝胶浇铸技术成本低廉、环境友好并且易于规模化生产任意形状、尺寸、厚度的化学修饰石墨烯膜材料。利用简便的酸诱导微结构控制的方法,在不需要外源高分子交联剂的条件下制备了机械性能增强的化学修饰石墨烯膜和化学修饰石墨烯纤维。该方法制备的膜强度高达447±29MPa,韧性达6.39±0.06 MJ m-3,远远高于大多数石墨烯基膜材料。更为重要的是,其热稳定性远远优于石墨烯/高分子复合膜。此外,该方法制备的一维纤维不仅具备极好的机械性能,还可作为耐火导线应用。我们提出的方法适合大批量制备超强、导电、热稳定的化学修饰石墨烯宏观组装体的制备。通过控制GO的化学结构结合温和的退火处理过程,我们制备了超强的本征GO膜和rGO膜。GO膜断裂强度高达453±17 MPa,并且能够在水中保持机械完整性。相应的化学还原的rGO膜的机械强度高达614±12 MPa,堪比AISI 304不锈钢(585 MPa)。与此同时rGO膜还具有超高的电导率(802±29 S cm-1)与热导率(524±36 W m-1 K-1)。利用片层尺寸大、结构更加完整的单/寡层氧化石墨烯作为构筑基元,通过简便的溶液挥发的方法制备了高导电的、溶液可加工的化学修饰石墨烯膜材料。该膜的电导率在碘掺杂后高达1440 S cm-1,断裂强度高达387±55 MPa。我们将此高电导率的化学修饰石墨烯膜作为轻质、可折叠的集流体应用于超级电容器中,展现了优异的速率性能。
潘露璐[8](2014)在《氧化镉基纳米结构薄膜的制备及应用性能研究》文中研究说明氧化镉(CdO)是属于II-VI族的一种直接窄带隙n型半导体氧化物,在常温下具有立方NaCl晶体结构。CdO薄膜本身具有大量的本征点缺陷,如氧空位(Vo)和镉间隙原子(Cdi)等缺陷,它们作为浅施主为CdO提供了大量的载流子,使其具有较低的电阻率(10-310-4Ω cm)。CdO的禁带宽度(Eg)为2.2eV,对应的波长为550nm,位于太阳光谱在可见光波段能量最强值510nm附近。因此,CdO以其高载流子浓度、低电阻率、可见光区域高透过率等特点,被广泛的应用于透明电极、太阳能电池、光电晶体管和气敏传感器等领域。然而,CdO的禁带宽度过窄极大地限制了其在光电器件领域的应用。为了与其它TCOs薄膜竞争,在提高CdO的电学性能的同时,通过掺杂其它元素或调解工艺参数增加其禁带宽度来提高薄膜在可见光波段的透过率范围,改善其光学性能。本论文对CdO薄膜的光学、电学和气敏性等性质进行了系统的总结,详细介绍了CdO的各种实际应用和制备方法,同时对CdO薄膜的研究方向进行了展望。采用磁控溅射法和脉冲激光沉积技术制备CdO基薄膜,通过调节化学计量比或掺杂过渡元素、稀土元素(Gd、Ce、In)等途径来制备导电性好、可见光区域透过率高的透明CdO薄膜。在此基础上,将Gd和In掺杂的CdO薄膜沉积在p-Si上制备异质结太阳能薄膜电池并研究其电学性能,探究CdO基薄膜作为太阳能薄膜电池的可能性。使用单束飞秒激光技术在CdO薄膜表面诱导出周期纳米条纹结构,并将该微型结构薄膜制成CdO/p-Si异质结。我们希望这些研究能够拓展CdO纳米材料在光电器件和太阳能薄膜电池等领域的应用。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、衍射透射电子显微镜(TEM)、高倍透射电子显微镜(HRTEM)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)及场发射扫描电子显微镜配套的能谱仪(EDS)对薄膜的成分和微观组织进行了分析和观察;利用紫外-可见光分光光度计(UV-VIS)、霍尔效应仪(Hall)对薄膜的光学和电学性能进行了表征;采用电流-电压(I-V)伏安特性曲线对异质结的电学性能进行了表征。具体的实验内容和结果如下:1.利用脉冲激光沉积法(PLD)在普通玻璃衬底上制备未掺杂CdO薄膜,氧气气氛压强为10Pa,衬底温度为室温(25℃),靶材为纯度99.99%CdO粉末制备的陶瓷靶。研究了不同脉冲激光能量密度(1025J/cm2)下获得的CdO薄膜的晶体结构、光学和电学性能影响。结果表明所有薄膜为多晶CdO立方晶体结构,沿着[200]方向高度择优生长。随着激光能量密度的下降,薄膜的平均晶粒尺寸变化较大,由108.3nm变为21.1nm。晶粒尺寸的不断减小使得薄膜应力增加并导致薄膜表面Cd和O原子扩散速率改变,薄膜内以氧空位(Vo)为主的缺陷逐渐增多,而这些缺陷能级使得本征CdO薄膜的自由电子浓度增加。拥有最小晶粒尺寸的CdO薄膜在可见光区域内具有高的光学透过率(92%),明显变宽的禁带宽度(3.33eV),高的载流子浓度(1.25×1021cm-3)和低的电阻率(2.8×10-4cm)。使得该实验方法和工艺条件下制备的晶粒尺寸较小的CdO薄膜在太阳能电池、透明薄膜电极和其它光电子设备具有广泛的应用前景。2.通过射频磁控溅射法(RFMS)在普通玻璃衬底上沉积了铈(Ce)和钆(Gd)共掺杂氧化镉透明导电薄膜。气体气氛总压强为10Pa,其中氩气(Ar)气体流量为40sccm,氧气(O2)气体流量为10sccm,衬底温度为400℃,靶材为纯度99.99%的CdO、CeO2和Gd2O3粉末充分混合制备的陶瓷靶。研究了不同Ce和Gd含量对CdO薄膜晶体结构、光学和电学性能的影响。Ce和Gd的掺杂促进所有薄膜沿[200]方向的择优生长,(200)晶面衍射角(θ)逐渐变小,晶格常数(a)逐渐变大。0.4at.%Ce和0.8at.%Gd掺杂的薄膜具有最佳的光电学性能,在可见光区域内具有高的光学透过率(85%),光学禁带宽度增大为2.99eV,电阻率达到最小值3.3×10-4Ω cm。当Ce和Gd的掺杂含量进一步增加到0.5at.%和1.0at.%时,晶界散射和电离杂质散射作用的增强导致薄膜的光学和电学性能下降。因而,适当的Ce和Gd掺杂能够改善CdO薄膜的光学和电学性能,使其在透明导电材料方面具有重要的应用价值。3.通过脉冲激光法(PLD)在石英玻璃基底上沉积了钆(Gd)和铟(In)共掺杂氧化镉透明导电薄膜。氧气气氛压强为10Pa,衬底温度为200℃,靶材为纯度99.99%的CdO、In2O3和Gd2O3粉末充分混合制备的陶瓷靶。XRD分析证实所有薄膜具有立方NaCl晶体结构,具有高度(200)择优取向。而XPS分析表明In的掺杂导致了In2O3相的出现。随着Gd和In的掺杂含量的不断增加,薄膜的晶粒尺寸由40nm逐渐减小为23nm。所有薄膜在可见光范围内都有很高的透过率(85%)。尤其是2at.%Gd和4at.%In掺杂的CdO薄膜在可见光波段的透过率高达92%,其相应的禁带宽度为3.56eV。在相同实验条件下,将这些薄膜沉积在p-Si衬底上制得p-n异质结。样品的I-V特性曲线表明实验制得的异质结具有二极管特性,而且在光照条件下表现出了明显的光伏效应。3at.%Gd和6at.%In掺杂的CdO薄膜表现出最佳的光伏特性。其光电转换效率达到了7.5%,填充因子为63%,饱和电流密度(Jsc)和开路电压(Voc)分别为11.4mA/cm2和1.04V。实验结果表明掺杂Gd和In的CdO薄膜在太阳能薄膜电池方面具备潜在应用价值。4.利用脉冲激光沉积法(PLD)在普通玻璃衬底上制备未掺杂CdO薄膜,氧气气氛压强为10Pa,衬底温度为25℃。将制得的薄膜在马弗炉里进行退火处理,退火温度和退火时间分别为200℃和30min。使用单光束飞秒激光脉冲在CdO薄膜表面上采用不同的脉冲重复频率进行周期纳米条纹结构诱导。输出激光脉冲的中心波长为800nm,脉冲宽度为100fs,重复频率为12500Hz可调,单脉冲能量为2mJ。由FE-SEM观察可知,经过2000个脉冲数照射后,CdO薄膜表面出现短周期条纹微型结构,条纹周期为150170nm。当脉冲数大于2000时,CdO表面开始出现蓬松的纳米泡沫的微型结构。配套积分球的UV-VIS测试表明具有飞秒激光微型结构的CdO薄膜具有宽频高吸收的特性。而Hall效应测试表明,当脉冲数为2000时,CdO薄膜获得最高的载流子浓度为1.9×1021cm-3和最低电阻率为1.3×10-5Ωcm。在此基础上,利用飞秒激光微型结构薄膜来制备的CdO/p-Si异质结,在暗态和光照两种环境下均表现出良好的整流特性。光照条件I-V特性曲线表明异质结具有光伏特性,测得最佳的太阳能电池开路电压Voc为0.55V,短路电流Jsc为6.8mA/cm2,填充因子为29.1%,转换效率为1.1%。飞秒激光微型结构薄膜的宽频高吸收特性使其在很多的光电器件领域,如光伏器件、电荷藕合器件和光探测器等具有潜在的应用前景。
李阳,许培扬[9](2013)在《基于专利文献的纳米生物材料领域技术机会识别初探》文中研究说明目的:针对当前国内生物材料市场仍被大量国外产品占据这一现状,从发明专利角度识别纳米生物材料领域内现存的技术机会,旨在服务企业及研究机构更好地开展技术创新活动。方法:应用词频分析及共词分析法,借助信息可视化工具揭示同类别(共有材料、性能、技术和产品等4大类)及不同类别词汇间的关联关系。结果:依据共词图谱结果并结合文献调研及专家咨询,发现了某些材料(如聚乳酸、纳米银、磁性纳米粒子等)、技术的新应用及其变化情况和具有潜在整合价值的技术、材料及其性能等,并从中总结出一些技术机会识别视角。结论:在实际的技术机会识别过程中,必须综合利用各种类型的科技文献信息资源,并且要意识到领域专家智慧的重要性。
周新磊[10](2012)在《高精度光纤传感系统及其在油田测井中的应用》文中研究指明测井是石油工业中最基本和最关键的环节之一,通过对井下压力、温度等重要物理参量的实时监测,及时获取井下信息,对优化采油方案、提高油田开采效率等有着重要的意义。光纤传感器由于具有体积小、本质安全、灵敏度高、耐高温高压以及抗电磁干扰等优点得到了石油行业的高度关注。准确性、可靠性以及成本问题是光纤传感器在油井监测应用中最受关注的问题。本文围绕这三个问题,主要做了以下工作:对光纤EFPI传感器腔长的大范围高分辨率解调技术做了深入的研究与讨论。在详细分析现有腔长解调算法解调性能的基础上提出了游标式解调算法,该算法以傅立叶变换解调算法来跟踪腔长变化,以基于最小均方误差估计的解调算法做腔长的精细解调,实现了EFPI传感器腔长的大动态范围和高分辨率的同时解调。设计了基于光纤F-P干涉仪的微位移传感器来检验游标式解调算法的解调性能。结果表明,游标式解调算法的腔长解调范围达3mm,解调分辨率为0.084nm,相对分辨率达3×10-8。为改善光纤EFPI传感器的长期测试可靠性,设计并搭建了基于激光诱导化学气相沉积方法的碳膜生长装置,成功制作出了碳膜涂覆的光纤EFPI传感器(Carbon-coated EFPI sensor, C2EFPI sensor)。并以扫描电子显微镜及拉曼光谱分析作为检测手段分析了沉积温度、沉积压强以及气源种类等因素对碳膜质量的影响,优化了沉积参数。最后,对C2EFPI传感器做了性能测试,结果表明C2EFPI传感器碳膜的拉曼光谱R值为1.03;在九个月的时间内,C2EFPI传感器在300℃及72MPa的环境下腔长波动范围在1nm之内,迟滞误差小于0.01%F.S.,重复性误差小于0.05%F.S.,压强测量偏差优于0.05%F.S.。另外,振动试验表明C2EFPI传感器还有着很强的环境适应性及质量可靠性。针对如何降低光纤传感器测井成本的问题,对基于FBG的准分布式温度测试系统做了详细而深入的研究。详细讨论了传感器复用容量、解调精度以及高温封装等关键问题,实现了单通道26个FBG的复用测试以及耐受300℃高温的传感器封装。系统性能的实验测试结果表明在250℃的测温范围内,系统温度测量分辨率优于0.15℃,温度测量误差小于0.5%F.S.,重复性误差小于0.13%F.S.,长期漂移小于0.2%F.S.。对光纤分布式温度传感器(DTS)与EFPI压力传感器的复用技术做了详细的分析及讨论。在深入分析DTS及光纤EFPI压力传感器的工作机理的基础上提出了基于宽带光纤波分复用器的复用方案,实现了利用单根光纤来同时测试井筒分布式温度与井下定点压力的测井技术。现场测试结果表明该复用方案操作简单,长期测试性能稳定,与传统测试方案相比,可以节省一根光纤,进一步降低了光纤传感器的测井成本。
二、激光诱导化学气相沉积制膜技术(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、激光诱导化学气相沉积制膜技术(论文提纲范文)
(1)多铁氟化物的磁性、铁电性研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 多铁材料的磁性与铁电性 |
1.2.1 铁磁性 |
1.2.2 铁电性 |
1.2.3 磁电耦合 |
1.2.4 磁介电效应(Magnetodielectric,MD) |
1.2.5 Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用 |
1.2.6 交换偏置效应 |
1.3 多铁材料的分类 |
1.4 多铁氟化物BaMF_4 |
1.4.1 BaMF_4(M=Mn,Co,Ni)的结构与物理参数 |
1.4.2 BaMF_4(M=Mn,Co,Ni)的研究现状 |
1.5 多铁材料薄膜化 |
1.6 本论文的主要研究内容 |
1.7 参考文献 |
第二章 样品的制备和表征手段 |
2.1 样品的制备 |
2.1.1 脉冲激光沉积技术制备氟化物薄膜 |
2.1.2 .靶材制备工艺 |
2.1.3 电极沉积 |
2.2 薄膜样品表征手段 |
2.2.1 X射线衍射(XRD) |
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) |
2.2.3 X射线光电子能谱(XPS) |
2.2.4 扫描探针显微镜(SPM) |
2.2.5 超导量子干涉仪(SQUID) |
2.2.6 其他测试仪器 |
2.3 参考文献 |
第三章 室温多铁BaMnF_4薄膜 |
3.1 引言 |
3.2 实验部分 |
3.3 XRD和元素分析 |
3.4 BaMnF_4薄膜的AFM表面形貌及单点压电回线 |
3.5 BaMnF_4薄膜的磁性 |
3.6 本章小结 |
3.7 参考文献 |
第四章 脉冲激光沉积制备的室温多铁BaCoF_4薄膜 |
4.1 引言 |
4.2 实验部分 |
4.3 结果与讨论 |
4.4 本章小结 |
4.5 参考文献 |
第五章 总结与展望 |
5.1 总结 |
5.2 研究展望 |
5.3 参考文献 |
致谢 |
攻读硕士学位期间发表的论文 |
(2)激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用(论文提纲范文)
1 引言 |
2 维修系统的设计构成及实验表征 |
2.1 维修系统的设计构成 |
2.2 实验表征 |
3 实验结果和讨论 |
3.1 不同工艺参数成膜对薄膜基底的损伤讨论 |
3.2 不同工艺参数对沉积钨膜电阻的影响 |
3.3 沉积薄膜形貌表征和成分分析 |
4 结论 |
(3)激光碳等离子体特性及其制备石墨烯研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
1 绪论 |
1.1 激光碳等离子体的研究 |
1.2 激光诱导生长石墨烯的研究 |
1.3 本文的主要研究内容 |
2 脉冲激光碳等离子体羽辉特性研究 |
2.1 激光等离子体的产生 |
2.2 等离子体羽辉影像观测装置 |
2.3 实验结果与分析 |
2.4 本章小结 |
3 脉冲激光碳等离子体发射光谱研究 |
3.1 激光等离子体诊断 |
3.2 等离子体的发射光谱诊断原理 |
3.3 光谱诊断实验装置 |
3.4 实验结果与分析 |
3.5 本章小结 |
4 脉冲激光诱导(PLD)沉积石墨烯 |
4.1 引言 |
4.2 脉冲激光诱导石墨烯(PLD)实验装置 |
4.3 实验结果分析 |
4.4 本章小结 |
5 激光诱导石墨烯(LIG) |
5.1 引言 |
5.2 激光诱导石墨烯实验装置 |
5.3 实验结果分析 |
5.4 本章小结 |
6 总结与展望 |
致谢 |
参考文献 |
附录1 攻读硕士学位期间学术成果目录 |
(4)二氧化钒纳米粉体制备及相变特性调控研究(论文提纲范文)
摘要 |
abstract |
第一章 绪论 |
1.1 研究背景 |
1.2 二氧化钒粉体的制备方法 |
1.2.1 热分解法 |
1.2.2 化学法 |
1.2.3 水热法 |
1.2.4 溶胶-凝胶法 |
1.2.5 激光诱导气相沉积法 |
1.3 二氧化钒的晶体结构及相变机理 |
1.3.1 晶体结构 |
1.3.2 相变机理 |
1.4 二氧化钒的典型应用 |
1.4.1 智能窗 |
1.4.2 电学开关与光学存储 |
1.4.3 红外脉冲激光防护 |
1.4.4 非制冷红外探测器 |
1.5 选题意义与论文内容 |
1.5.1 选题意义 |
1.5.2 论文内容 |
第二章 真空退火工艺制备VO_2粉体及表征 |
2.1 VO_2粉体的制备 |
2.1.1 实验材料 |
2.1.2 实验仪器 |
2.1.3 实验方法及制备过程 |
2.1.4 实验注意事项 |
2.2 VO_2 粉体的表征测试方法 |
2.2.1 X射线衍射(XRD) |
2.2.2 X-ray电子能谱(XPS) |
2.2.3 能谱仪(EDS) |
2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) |
2.2.5 拉曼光谱(Raman) |
2.2.6 差示扫描量热仪(DSC) |
2.3 真空退火VO_2粉体的表征 |
2.3.1 XRD分析 |
2.3.2 XPS分析 |
2.3.3 SEM分析 |
2.3.4 DSC分析 |
2.4 本章小结 |
第三章 复合退火工艺制备VO_2粉体及表征 |
3.1 粉体制备 |
3.2 XRD分析 |
3.3 SEM分析 |
3.4 XPS分析 |
3.5 DSC分析 |
3.6 本章小结 |
第四章 掺NB对VO_2粉体结构和相变特性的影响 |
4.1 Nb掺杂VO_2粉体的制备 |
4.1.1 实验材料与仪器 |
4.1.2 实验流程 |
4.2 Nb掺杂VO_2粉体的成分及价态(EDS、XPS)分析 |
4.3 Nb掺杂VO_2粉体的SEM的分析 |
4.4 Nb掺杂VO_2粉体的Raman分析 |
4.5 Nb掺杂VO_2粉体的XRD分析 |
4.6 Nb掺杂VO_2粉体的相变特性分析 |
4.7 本章小结 |
第五章 全文总结与展望 |
5.1 全文总结 |
5.2 后续工作展望 |
致谢 |
参考文献 |
攻读硕士学位期间研究成果 |
(5)飞秒激光等离子体光谱及沉积技术研究(论文提纲范文)
中文摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 等离子体概述 |
1.1.1 等离子体简介 |
1.1.2 激光诱导等离子体简介 |
1.2 LIBS技术概述 |
1.3 PLD技术概述 |
1.3.1 脉冲激光沉积技术的背景 |
1.3.2 脉冲激光沉积技术的特点 |
1.4 TiO_2薄膜及纳米材料 |
1.5 选题依据和研究内容 |
1.5.1 课题选题依据 |
1.5.2 本论文研究内容 |
1.5.3 本论文结构安排 |
第二章 LIBS及PLD基本理论 |
2.1 激光等离子体基本理论 |
2.1.1 激光烧蚀过程 |
2.1.2 等离子体形成微观机理 |
2.1.3 等离子体的蒸发与膨胀 |
2.1.4 等离子体屏蔽效应 |
2.2 激光诱导击穿光谱基本理论 |
2.2.1 等离子体辐射光谱机制 |
2.2.2 等离子体分析理论模型 |
2.2.3 等离子体光谱诊断 |
2.3 飞秒脉冲激光沉积理论 |
2.3.1 气相粒子的吸附 |
2.3.2 表面扩散与凝结 |
2.3.3 薄膜的形成 |
2.4 本章小结 |
第三章 实验装置与方法 |
3.1 飞秒PLD实验装置和方法 |
3.1.1 实验装置 |
3.1.2 实验方法 |
3.2 LIBS实验装置和方法 |
3.2.1 实验装置 |
3.2.2 Andor-Solis软件 |
3.2.3 实验方法 |
3.3 本章小结 |
第四章 钛表面激光等离子体的LIBS光谱 |
4.1 引言 |
4.2 飞秒激光诱导钛等离子体光谱 |
4.2.1 钛表面激光等离子体时间分辨光谱 |
4.2.2 钛表面激光等离子体空间分辨光谱 |
4.2.3 钛表面激光等离子体时间-飞行谱 |
4.3 钛表面激光等离子体电子温度及其时间演化特性 |
4.4 钛表面激光等离子体电子密度与激光能量的关系 |
4.5 本章小结 |
第五章 飞秒脉冲激光沉积TiO_2薄膜研究 |
5.1 TiO_2薄膜的制备与表征 |
5.1.1 TiO_2薄膜形貌的FSEM表征 |
5.1.2 TiO_2薄膜的XPS分析 |
5.2 研究TiO_2薄膜的成膜过程 |
5.3 研究实验参数对TiO_2成膜的影响 |
5.3.1 飞秒激光能量对TiO_2成膜的影响 |
5.3.2 基底温度对TiO_2成膜的影响 |
5.4 TiO_2薄膜紫外-可见光谱分析 |
5.5 本章小结 |
总结与展望 |
参考文献 |
致谢 |
个人简历 |
(6)激光化学气相沉积法制备钇系高温超导薄膜及其缓冲层薄膜(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 文献综述 |
1.1 超导材料发展历史 |
1.2 研究超导材料的现实意义 |
1.2.1 超导材料对经济、社会及环境的意义 |
1.2.2 超导材料对能源、交通、医疗等相关领域的意义 |
1.2.3 超导材料对新型陶瓷产业发展的意义 |
1.2.4 超导材料对多学科交叉融合的意义 |
1.3 超导带材的结构与制备 |
1.3.1 金属基板 |
1.3.2 种子层 |
1.3.3 缓冲层 |
1.3.4 超导层 |
1.3.5 保护层 |
1.4 YBCO超导层的结构、制备与研究现状 |
1.4.1 YBCO超导层的结构 |
1.4.2 YBCO超导层的制备 |
1.4.2.1 三氟乙酸-金属有机沉积法 |
1.4.2.2 脉冲激光沉积法 |
1.4.2.3 金属有机化学气相沉积法 |
1.4.2.4 激光化学气相沉积法 |
1.4.3 YBCO高温超导带材的研究现状 |
1.5 本论文的研究意义及内容 |
1.5.1 研究意义 |
1.5.2 研究内容 |
第二章 实验方法与表征 |
2.1 超导层与缓冲层的制备 |
2.1.1 实验设备 |
2.1.2 前驱体的制备 |
2.1.2.1 HDPM的制备 |
2.1.2.2 Y(DPM)_3 的制备 |
2.1.2.3 Ba(DPM)_2 的制备 |
2.1.2.4 Cu(DPM)_2 的制备 |
2.1.2.5 Ce(DPM)_4 的制备 |
2.1.3 YBCO前驱体溶液的合成 |
2.1.4 SAC-LCVD设备 |
2.1.4.1 喷液雾化多元共析液体原料供应系统 |
2.1.4.2 智能控制系统 |
2.1.4.3 SAC-LCVD设备优点 |
2.1.4.4 SAC-LCVD设备参数 |
2.2 YBCO薄膜的分析表征方法 |
2.2.1 X射线衍射分析 |
2.2.2 X射线衍射极图 |
2.2.3 电子场发射扫描电镜 |
2.2.4 YBCO薄膜电学性能的测量 |
第三章 激光功率对制备YBCO薄膜的研究 |
3.1 制备YBCO薄膜的工艺参数 |
3.2 激光功率对YBCO薄膜晶相结构研究 |
3.3 激光功率对YBCO薄膜结晶度与面内取向研究 |
3.4 激光功率对YBCO薄膜晶粒面内外延生长模式研究 |
3.5 激光功率对YBCO薄膜显微结构研究 |
3.6 激光功率对YBCO薄膜电学性能研究 |
3.7 小结 |
第四章 外延生长不同取向YBCO薄膜的研究 |
4.1 制备不同取向YBCO薄膜的工艺参数 |
4.2 YBCO薄膜晶相结构研究 |
4.3 YBCO薄膜晶粒的面内外延生长关系研究 |
4.4 小结 |
第五章 制备高度(100)取向CeO_2薄膜的研究 |
5.1 制备CeO_2缓冲层的工艺参数 |
5.2 CeO_2薄膜晶相结构研究 |
5.3 CeO_2薄膜结晶度及面内取向度研究 |
5.4 CeO_2薄膜面内外延生长关系研究 |
5.5 CeO_2薄膜的显微结构研究 |
5.6 小结 |
第六章 结论与展望 |
6.1 结论 |
6.2 展望 |
参考文献 |
攻读硕士期间发表的论文与专利 |
致谢 |
(7)化学修饰石墨烯膜的制备与性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 引言 |
1.1 石墨烯简介 |
1.1.1 石墨烯的研究简史 |
1.1.2 石墨烯的结构 |
1.1.3 石墨烯的性质 |
1.1.4 石墨烯的制备 |
1.2 化学修饰石墨烯 |
1.2.1 氧化石墨烯 |
1.2.2 还原氧化石墨烯 |
1.3 化学修饰石墨烯膜材料的制备、增强与应用 |
1.3.1 化学修饰石墨烯膜的制备 |
1.3.2 化学修饰石墨烯膜的增强 |
1.3.3 化学修饰石墨烯膜的应用 |
1.4 课题的提出与研究内容 |
第2章 高性能化学修饰石墨烯/高分子复合膜 |
2.1 本章导论 |
2.2 实验方法 |
2.2.1 实验原料 |
2.2.2 氧化石墨烯制备 |
2.2.3 高分子的合成 |
2.2.4 氧化石墨烯/高分子复合水凝胶的制备 |
2.2.5 化学修饰石墨烯膜和化学修饰石墨烯/高分子复合膜的制备 |
2.2.6 仪器表征 |
2.3 结果与讨论 |
2.3.1 构筑基元GO和高分子(PAPBX)结构表征 |
2.3.2 化学修饰石墨烯/高分子(PAPBX)复合膜结构表征 |
2.3.3 化学修饰石墨烯/高分子(PAPBX)复合膜性能表征 |
2.3.4 化学修饰石墨烯/高分子(PAPBX)复合膜增强增韧机制 |
2.3.5 不同化学修饰石墨烯/高分子复合膜性能比较 |
2.4 本章小结 |
第3章 热稳定的高性能化学修饰石墨烯膜 |
3.1 本章导论 |
3.2 实验方法 |
3.2.1 实验原料 |
3.2.2 氧化石墨烯制备 |
3.2.3 化学修饰石墨烯膜的制备 |
3.2.4 化学修饰石墨烯纤维的制备 |
3.2.5 仪器表征 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 构筑基元GO的结构表征 |
3.3.2 化学修饰石墨烯膜的形貌结构与力学性能 |
3.3.3 化学修饰石墨烯膜的增强机制 |
3.3.4 化学修饰石墨烯膜的热稳定性 |
3.3.5 化学修饰石墨烯纤维的力学性能及其热稳定性 |
3.4 本章小结 |
第4章 强度优于不锈钢的多功能化学修饰石墨烯膜 |
4.1 本章导论 |
4.2 实验方法 |
4.2.1 实验原料 |
4.2.2 氧化石墨烯制备 |
4.2.3 多功能化学修饰石墨烯膜的制备 |
4.2.4 仪器表征 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 构筑基元的结构与表征 |
4.3.2 多功能化学修饰石墨烯膜结构与力学性能 |
4.3.3 多功能化学修饰石墨烯膜的增强机制 |
4.3.4 多功能化学修饰石墨烯膜的耐水性以及离子分离性能 |
4.4 本章小结 |
第5章 高导电化学修饰石墨烯膜的制备及其性能研究 |
5.1 本章导论 |
5.2 实验方法 |
5.2.1 实验原料 |
5.2.2 氧化石墨烯的制备 |
5.2.3 GO膜的制备、化学还原与掺杂 |
5.2.4 超级电容器与染料敏化太阳能电池的制备与器件组装 |
5.2.5 仪器表征 |
5.3 结果与讨论 |
5.3.1 构筑基元结构表征 |
5.3.2 膜的力学性能与电学性能 |
5.3.3 高导电化学修饰石墨烯膜作为柔性集流体 |
5.4 本章小结 |
第6章 结论 |
参考文献 |
致谢 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
(8)氧化镉基纳米结构薄膜的制备及应用性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 CdO 薄膜的结构与特性 |
1.2.1 CdO 的晶体结构 |
1.2.2 CdO 的光学性能 |
1.2.3 CdO 的电学性质 |
1.2.4 CdO 的气敏性质 |
1.3 CdO 薄膜的制备方法 |
1.3.1 溶胶-凝胶法 |
1.3.2 真空蒸镀法 |
1.3.3 分子束外延技术 |
1.3.4 喷雾热解法 |
1.3.5 化学气相沉积 |
1.3.6 磁控溅射镀膜 |
1.3.7 脉冲激光沉积技术 |
1.4 CdO 薄膜的发展与应用 |
1.4.1 CdO 薄膜在光电器件领域的应用 |
1.4.2 CdO 薄膜在气敏传感器领域的应用 |
1.4.3 CdO 薄膜在太阳能电池领域的应用 |
1.5 飞秒激光技术 |
1.5.1 飞秒激光诱导纳米结构概述 |
1.5.2 飞秒激光技术的发展及其应用 |
1.6 选题的意义和研究内容 |
第2章 实验内容及表征方法 |
2.1 实验仪器 |
2.1.1 射频磁控溅射系统 |
2.1.2 脉冲激光沉积系统 |
2.1.3 飞秒激光加工系统 |
2.2 实验过程 |
2.2.1 靶材制备 |
2.2.2 衬底清洗 |
2.2.3 实验方案 |
2.3 样品的表征手段及测试条件 |
第3章 本征 CdO 薄膜的光电性能研究 |
3.1 引言 |
3.2 实验结果分析 |
3.2.1 CdO 薄膜的结构分析 |
3.2.2 CdO 薄膜的形貌分析 |
3.2.3 CdO 薄膜的电学性质 |
3.2.4 CdO 薄膜的光学性质 |
3.3 本章小结 |
第4章 Ce 和 Gd 共掺杂 CdO 薄膜的光电性能研究 |
4.1 引言 |
4.2 实验结果分析 |
4.2.1 Ce 和 Gd 共掺杂 CdO 薄膜的结构分析 |
4.2.2 Ce 和 Gd 共掺杂 CdO 薄膜的表面形貌分析 |
4.2.3 Ce 和 Gd 共掺杂 CdO 薄膜的电学性能分析 |
4.2.4 Ce 和 Gd 共掺杂 CdO 薄膜的光学性能分析 |
4.3 本章小结 |
第5章 Gd 和 In 掺杂的 CdO 薄膜及其异质结的制备和性能研究 |
5.1 引言 |
5.2 实验结果和讨论 |
5.2.1 Gd 和 In 共掺杂 CdO 薄膜的结构分析 |
5.2.2 Gd 和 In 共掺杂 CdO 薄膜的表面形貌分析 |
5.2.3 Gd 和 In 共掺杂 CdO 薄膜的光学性能分析 |
5.2.4 GICO/p-Si 异质结制备及 I-V 特性分析 |
5.3 本章小结 |
第6章 单束飞秒激光诱导 CdO 薄膜纳米周期结构 |
6.1 引言 |
6.2 实验结果和讨论 |
6.2.1 单束飞秒激光诱导 CdO 纳米周期结构 |
6.2.2 纳米周期结构 CdO 薄膜的结构分析 |
6.2.3 纳米周期结构 CdO 薄膜的光电学性能分析 |
6.2.4 飞秒激光微结构 CdO/p-Si 异质结的 I-V 特性分析 |
6.3 本章小结 |
第7章 结论 |
参考文献 |
作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
致谢 |
(9)基于专利文献的纳米生物材料领域技术机会识别初探(论文提纲范文)
1 材料与方法 |
2 结果 |
2.1 不同类别词汇间的关联关系 |
2.1.1 将无关联关系或关系较小的若干技术整合成潜在、有价值的技术链条 |
2.1.2 材料应用领域的扩展 |
2.1.3 磁性纳米粒子领域各种技术的交替演变 |
2.1.4 材料表面纳米化技术是改善材料性能的一种有效途径 |
2.2 同一类别词汇间关联关系分析 |
2.2.1 性能整合的识别 |
2.2.2 技术整合的识别 |
3 讨论 |
(10)高精度光纤传感系统及其在油田测井中的应用(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
1 绪论 |
1.1 研究背景 |
1.2 光纤传感器测井技术发展概述 |
1.2.1 光纤EFPI传感器测井技术发展概述 |
1.2.2 FBG传感器测井技术发展概述 |
1.2.3 分布式光纤传感器测井技术发展概述 |
1.3 选题依据与意义 |
1.4 论文的组织结构 |
2 光纤EFPI传感器大范围高分辨率解调技术 |
2.1 光纤EFPI传感器原理 |
2.1.1 光纤EFPI传感器结构及光谱特性 |
2.1.2 压力传感机理 |
2.2 光纤EFPI传感器输出信号的影响因素 |
2.3 F-P腔长解调机理 |
2.3.1 快速傅立叶变换解调算法 |
2.3.2 基于最小均方误差估计的算法 |
2.3.3 游标式解调算法 |
2.4 游标式解调算法的性能测试 |
2.5 本章小结 |
3 光纤EFPI压力传感器长期工作特性研究 |
3.1 碳膜的化学气相沉积 |
3.1.1 沉积机理 |
3.1.2 微观结构 |
3.1.3 影响因素 |
3.2 LCVD系统设计 |
3.3 碳膜的表征及沉积参数优化 |
3.3.1 扫描电子显微镜 |
3.3.2 拉曼光谱技术 |
3.3.3 与商业用涂碳光纤拉曼光谱比较 |
3.4 C~2EFPI传感器性能测试 |
3.4.1 性能测试系统 |
3.4.2 高温高压下C~2EFPI传感器的长期稳定性 |
3.4.3 C~2EFPI传感器的迟滞特性 |
3.4.4 C~2EFPI传感器的重复性 |
3.4.5 C~2EFPI传感器的精确度 |
3.4.6 振动试验 |
3.4.7 C~2EFPI传感器的现场应用 |
3.5 本章小结 |
4 准分布式光纤光栅温度监测系统 |
4.1 FBG的传感机理 |
4.1.1 FBG的结构 |
4.1.2 FBG的基本理论 |
4.1.3 FBG温度传感机理 |
4.1.4 FBG应变传感机理 |
4.2 基于FBG的准分布式温度监测系统 |
4.2.1 概述 |
4.2.2 关键技术探究 |
4.3 解调软件实现 |
4.3.1 解调基本思路 |
4.3.2 软件实现 |
4.4 实验结果及讨论 |
4.4.1 FBG温度传感器的实验标定 |
4.4.2 测试结果与讨论 |
4.5 本章小结 |
5 光纤分布式温度传感器与EFPI压力传感器的复用技术 |
5.1 光纤分布式温度传感器工作原理 |
5.1.1 拉曼散射测温机理 |
5.1.2 光时域反射计定位原理 |
5.1.3 RDTS系统组成 |
5.2 RDTS系统主要性能参数分析 |
5.2.1 温度分辨率 |
5.2.2 空间分辨率 |
5.2.3 时间分辨率 |
5.2.4 三个分辨率的关系 |
5.3 光纤EFPI压力传感器的关键技术 |
5.3.1 温度交叉敏感性 |
5.3.2 封装结构研究 |
5.4 RDTS与EFPI压力传感器的复用研究 |
5.4.1 方案设计 |
5.4.2 关键技术分析 |
5.4.3 系统性能 |
5.5 现场测试 |
5.5.1 现场应用情况 |
5.5.2 测试结果及讨论 |
5.6 本章小结 |
6 结论 |
6.1 论文的主要研究成果 |
6.2 创新点摘要 |
6.3 工作展望 |
参考文献 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 |
申请专利情况 |
致谢 |
作者简介 |
四、激光诱导化学气相沉积制膜技术(论文参考文献)
- [1]多铁氟化物的磁性、铁电性研究[D]. 虞樱红. 东南大学, 2020(01)
- [2]激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用[J]. 张伟,陈小英,马永生,付婉霞,王磊,周贺,徐智俊,王博,阮毅松. 液晶与显示, 2019(08)
- [3]激光碳等离子体特性及其制备石墨烯研究[D]. 周素素. 华中科技大学, 2019(03)
- [4]二氧化钒纳米粉体制备及相变特性调控研究[D]. 刘蕊. 电子科技大学, 2019(01)
- [5]飞秒激光等离子体光谱及沉积技术研究[D]. 张生孔. 福州大学, 2017(05)
- [6]激光化学气相沉积法制备钇系高温超导薄膜及其缓冲层薄膜[D]. 王莹. 武汉工程大学, 2017(04)
- [7]化学修饰石墨烯膜的制备与性能研究[D]. 张淼. 清华大学, 2016(11)
- [8]氧化镉基纳米结构薄膜的制备及应用性能研究[D]. 潘露璐. 吉林大学, 2014(09)
- [9]基于专利文献的纳米生物材料领域技术机会识别初探[J]. 李阳,许培扬. 生物技术通讯, 2013(02)
- [10]高精度光纤传感系统及其在油田测井中的应用[D]. 周新磊. 大连理工大学, 2012(09)